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TN-G1100ZC高真空CVD管式炉

简要描述:

TN-G1100ZC高真空CVD管式炉主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等

TN-G1100ZC高真空CVD管式炉

该仪器是一个三温区真空管式炉主要用于大专院校、科研院所、工矿企业等试验和小批量生产之用。主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。

TN-G1100ZC高真空CVD管式炉

仪器的控制系统采用原装进口产品,具有操作容易,安全可靠,控温精度高(专家PID控制),保温效果好,温度范围大,炉膛温度均匀性高,温区多,可通气泵,抽真空等特点。

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产品名称

TN-G1100ZC型高真空CVD管式炉

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产品型号

TN-G1100ZC-503        炉膛尺寸:直径50x300mm

TN-G1100ZC-603        炉膛尺寸:直径60x300mm

TN-G1100ZC-803        炉膛尺寸:直径80x300mm

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炉门结构

开启式

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上限温度

1200℃

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工作温度

≤1100℃

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加热温区

三温区

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   温区长度

220mm

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恒温区长

100mm

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炉管材质

301S不锈钢管(可选刚玉管)

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密封方式

不锈钢真空法兰

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气密性

真空法兰和石英炉管的气密性可达4。03x10-3Pa

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控温方式

智能化30段可编程控制,自动控温

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控温精度

±1℃

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加热速率

≤20℃

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加热元件

硅碳棒

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热电偶

K型热电偶

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炉膛材料

进口氧化铝陶瓷纤维

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功率

2。5Kw

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电压

220V  50Hz-60Hz 

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系统真空

5~10Pa(需要达到其它真空度时,需选配不同的抽真空装置)

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售后服务

12个月质保,终身保修

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